隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復雜，對半導體濕法清洗技術的要求也越來越高。
清洗工藝是貫穿整個半導體制造的重要環節，是影響半導體器件性能以及良率的重要因素之一。在芯片制造過程中，任何的沾污都可能影響半導體器件的性能，甚至引起失效。因此，幾乎在芯片制造的每一道工序前后，都需要進行清洗工藝，去除表面的污染物，保證晶圓表面的潔凈度，尤其在拋光、刻蝕等工藝后，晶圓表面會附著一些顆粒、金屬、有機物、自然氧化層等雜質
但清洗對象千變萬化，可以遇到的材質種類也非常復雜，我們無法用一兩種清潔劑滿足所有材質的清洗**性，則清潔劑的組分設計以及產品結構，就必須充分考慮不同類型的設備所包含材料的材質特性，保證清潔劑在正確使用時，對所清洗對象的材質沒有損傷。
清洗劑的濃度與清洗效果有很大的關系，一般隨著濃度的增加，去污能力也相應的增強，但達到一定濃度后，去污能力不再明顯提高。一般濃度控制在3%-5%為宜。
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